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中国科学家开创第三类存储技术 速度比U盘快1万

2019-12-12 18:58

复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室,将硅片放入仪器,将清洗好的硅片放入容器内,在硅片上生长金属电极,在实验室内对硅片进行切割,进行“电子束光刻”以及“定义图形”,清洗硅片.

4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在实验室内合影。近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。

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这一创新解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。北京时间4月10日,相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

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